SK hynix инвестирует $38 млрд в расширение производства микросхем памяти в Южной Корее. Совет директоров компании уже одобрил реализацию двух направленных на удовлетворение спроса в сегменте искусственного интеллекта проектов.
Средства распределят в пропорции 2:1 между площадками в Йонъине и Чхонджу. В Йонъине компания возведет вторую очередь из четырех предприятий для выпуска DRAM. Строительные работы стартуют в июле 2026 года, а запуск серийного производства DRAM и HBM запланирован на июнь 2029 года. Ранее начатое строительство первой очереди комплекса в этом же городе завершится в феврале 2027 года.
В Чхонджу SK hynix построит завод M17 для выпуска NAND-памяти. Он предназначен для серверов и персональных компьютеров. Возведение объекта начнется в феврале 2026 года, ввод первой линии в эксплуатацию намечен на декабрь 2028 года.
Производственные квоты компании расписаны до конца 2027 года. Для обеспечения поставок SK hynix переходит на долгосрочные контракты с авансовыми платежами от клиентов.
Правительство Южной Кореи включило SK hynix и Samsung Electronics в программу развития полупроводниковой отрасли, цель которой удвоить мощности по выпуску памяти в стране в течение пяти лет.
На фоне заявлений об инвестициях и планах представить стратегию возврата капитала акционерам акции SK hynix отыграли часть падения, достигавшего 4,9%. Компания пообещала раскрыть детали выплат инвесторам до конца текущего квартала.
Читать по теме: Производители хотят отказаться от карт памяти в новых смартфонах.
